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通帶頻段：18～40 GHz 通帶損耗：0.7 dB 隔離度：20dB 回波損耗：-15dB 芯片尺寸：1.5mmx1.5mm x 0.1mm 接口：50Ω共面波導線

GGF-18/40是一款砷化鎵單片二功分器芯片。該功分器芯片具有插損小、隔離度高、體積小、重量輕、易集成、等特點，廣泛應用于功率分配及合成。該芯片采用了片上通孔金屬化工藝保證良好的接地。背面進行了金屬化處理，適合共晶燒結和導電膠粘接工藝。

操作注意事項

存儲：芯片必須放置于具有靜電防護功能的容器中，并在氮氣環境下保存。

清潔處理：裸芯片必須在凈化環境中操作使用，禁止采用液態清潔劑對芯片進行清潔處理。

靜電防護：請嚴格遵守ESD防護要求，避免器件靜電損傷。

常規操作：拿取芯片請使用真空夾頭或精密尖頭鑷子。操作過程中要避免工具或手指觸碰到芯片表面。

裝架操作：芯片安裝可采用AuSn焊料共晶燒結或導電膠粘接工藝。安裝面必須清潔平整。

鍵合操作：球形或楔型鍵合均采用Φ0.025mm (1mil)金絲。熱超聲鍵合溫度150°C。球形鍵合劈刀壓力40~50gf，楔形鍵合劈刀壓力18~22 gf。采用盡可能小的超聲波能量。鍵合時起始于芯片上的壓點，終止于封裝（或基板）。